半導體矽片的超聲波清洗機要求及配套的化學清洗工藝說明
0閱讀次數：2028發布日期：2017-06-23 作者：真人現場娛樂 關鍵詞：超聲波清洗機，噴淋清洗機
半導體矽片經過不同工序加工後，其表麵已受到嚴重沾汙，一般講矽片表麵沾汙大致可分在三類：
A. 有機雜質沾汙： 可通過有機試劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術來去除。
B. 顆粒沾汙：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。
C. 金屬離子沾汙：必須采用化學的方法才能清洗其沾汙。
矽片表麵金屬雜質沾汙有兩大類：一類是沾汙離子或原子通過吸附分散附著在矽片表麵。 另一類是帶正電的金屬離子得到電子後麵附著（尤如“電鍍”）到矽片表麵。
矽拋光片的化學清洗目的就在於要去除這種沾汙，一般可按下述辦法進行清洗去除沾汙。
a. 使用強氧化劑使“電鍍”附著到矽表麵的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在矽片表麵。
b. 用無害的小直徑強正離子（如H+）來替代吸附在矽片表麵的金屬離子，使之溶解於清洗液中。
c. 用大量去離水進行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。
自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來，例如 ：
⑴ 美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。
⑵ 美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術。
⑶ 美國VERTEQ公司推出的介於浸泡與封閉式之間的化學清洗技術（例Goldfinger Mach2清洗係統）。
⑷ 美國SSEC公司的雙麵檫洗技術（例M3304 DSS清洗係統）。
⑸ 曰本提出無藥液的電介離子水清洗技術（用電介超純離子水清洗）使拋光片表麵潔淨技術達到了新的水平。
⑹ 以HF / O3為基礎的矽片化學清洗技術。
目前常用H2O2作強氧化劑，選用HCL作為H+的來源用於清除金屬離子。SC-1是H2O2和NH4OH的堿性溶液，通過H2O2的強氧化和NH4OH的溶解作用，使有機物沾汙變成水溶性化合物，隨去離子水的衝洗而被排除。由於溶液具有強氧化性和綜合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其變成高價離子，然後進一步與堿作用，生成可溶性綜合物而隨去離子水的衝洗而被去除。為此用SC-1液清洗拋光片既能去除有機沾汙，亦能去除某些金屬沾汙。SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水衝洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水衝洗而被去除在使用SC-1液時結合使用兆聲波來清洗可獲得更好的效果。
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