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半導體矽片的超聲波清洗機要求及配套的化學清洗工藝說明

0閱讀次數:2028發布日期:2017-06-23     作者:真人現場娛樂      關鍵詞:超聲波清洗機,噴淋清洗機   
半導體矽片經過不同工序加工後,其表麵已受到嚴重沾汙,一般講矽片表麵沾汙大致可分在三類:
       A. 有機雜質沾汙: 可通過有機試劑的溶解作用,結合超聲波清洗技術來去除。  
       B. 顆粒沾汙:運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒,利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。   
       C. 金屬離子沾汙:必須采用化學的方法才能清洗其沾汙。 
       矽片表麵金屬雜質沾汙有兩大類:一類是沾汙離子或原子通過吸附分散附著在矽片表麵。 另一類是帶正電的金屬離子得到電子後麵附著(尤如“電鍍”)到矽片表麵。 
       矽拋光片的化學清洗目的就在於要去除這種沾汙,一般可按下述辦法進行清洗去除沾汙。  
       a. 使用強氧化劑使“電鍍”附著到矽表麵的金屬離子、氧化成金屬,溶解在清洗液中或吸附在矽片表麵。   
       b. 用無害的小直徑強正離子(如H+)來替代吸附在矽片表麵的金屬離子,使之溶解於清洗液中。   
       c. 用大量去離水進行超聲波清洗,以排除溶液中的金屬離子。   
       自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用,1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝,近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來,例如 : 
       ⑴ 美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。 
       ⑵ 美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術。
       ⑶ 美國VERTEQ公司推出的介於浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(例Goldfinger Mach2清洗係統)。
       ⑷ 美國SSEC公司的雙麵檫洗技術(例M3304 DSS清洗係統)。
       ⑸ 曰本提出無藥液的電介離子水清洗技術(用電介超純離子水清洗)使拋光片表麵潔淨技術達到了新的水平。 
       ⑹ 以HF / O3為基礎的矽片化學清洗技術。 
       目前常用H2O2作強氧化劑,選用HCL作為H+的來源用於清除金屬離子。SC-1是H2O2和NH4OH的堿性溶液,通過H2O2的強氧化和NH4OH的溶解作用,使有機物沾汙變成水溶性化合物,隨去離子水的衝洗而被排除。由於溶液具有強氧化性和綜合性,能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其變成高價離子,然後進一步與堿作用,生成可溶性綜合物而隨去離子水的衝洗而被去除。為此用SC-1液清洗拋光片既能去除有機沾汙,亦能去除某些金屬沾汙。SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液,它具有極強的氧化性和絡合性,能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水衝洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水衝洗而被去除在使用SC-1液時結合使用兆聲波來清洗可獲得更好的效果。
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